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來了!三星3奈米制程搶先成功流片 台積電低調申請專利超越 暗示量產首年較5奈米更多新品引全球矚目

文 / 秋荷 2021-07-20 17:56:42 来源:亚汇网

   財經報社(香港)訊 晶圓代工領域的兩大領頭羊台積電與三星,長年來在芯片制程的競爭至今都尚未結束。韓國三星計劃在3奈米制程就先采用環繞閘極技術(GAA),並且目前已經成功流片。但Business Korea指出,台積電在專利數申請上再次超越三星,而台積電總裁魏哲家也暗示,公司3奈米量產首年較5奈米將有更多新品設計定案,也會配合客戶在明年下半年量產。

   三星計劃在3奈米制程就采用GAA技術,並表示3奈米制程節點與該公司的7奈米LPP制程相比,3GAA制程可以在同樣功耗提高30%性能,或是在同樣頻率下降低功耗50%,電晶體密度提升80%。三星預計,MBCFET將在2022年投產。三星3奈米正式流片(Tape Out),主要是與新思科技(Synopsys)合作,加速為GAA技術提供最佳化解決方案,預計將運用在高效能運算(HPC)、5G、通訊、AI等應用領域上。

   而台積電則是在2奈米制程時,才會選擇引進GAA技術,3奈米制程將維持FinFET架構,將重點放在2奈米以外節點,以及3D電晶體、新記憶體以及Low-R Interconnect等領域,為各項技術平台創造發展基礎,並且加強FAB 12的研發N3、N2甚至更高級的先進制程節點。

   根據Business Korea所指,台積電和三星相繼投入GAA技術研發後,韓國知識產權局近日的統計資料顯示,GAA技術相關專利大幅增加,先進制程主流的FinFET在2017年達到申請數量高峰,1年1936件,到2020年申請數量降低至1503件,GAA計數則是在2017年的173件,2020年增至381件。

   此外,台積電、三星、美國IBM和格羅方德,申請GAA制程專利數量分別占比為31.4%、20.6%、10.2%、5.5%,顯示出台積電就算GAA技術較晚才導入產品,仍然在研發競爭對手。

   台積電在法說會上提到,領先業界的5奈米進入量產的第二年,具有最佳的效能、功耗和面積(PPA),在智慧型手機、高效能運算(HPC)相關應用的驅動下,需求持續強勁,占營收比重逐季攀升,第二季占18%,相較上季的14%進一步提高,預期今年全年將占台積電營收比重約20%。

   針對市場關注的另一個下世代3奈米制程進度是否較慢,台積電表示,3奈米持續采用FinFET電晶體架構,按照計劃開發且進度良好,平台完成支援智慧型手機和HPC運算應用,設計定案量比5奈米更多客戶參與,也會是晶圓代工最先進技術,預計今年進行試產,明年下半年量產。

   台積電(TW2330)股價在本日亞市收盤錄得跌幅0.17%,收報台幣581元。三星(KR5930)股價也同樣走跌0.51%,至78600韓元。

   談到晶圓代工的發展,值得關注的還有美國英特爾,華爾街日報援引知情人士所指,英特爾計劃斥資約300億美元收購知名晶圓代工企業格羅方德,促使台積電地位將受到嚴重挑戰。收購格羅方德意味著,英特爾將具備更快速生產芯片能力,增加其接收訂單量能外,也將能在技術方面更快速接軌晶圓代工。業界認為如果成真,這將是有史以來最大的收購案,但目前無法保證交易會達成。據悉,格羅方德仍能按照計劃,前往美國進行首次公開募股(IPO)。

   但格羅方德目前否認這項收購消息,並強調將會如期進行募股計劃。

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