您正在访问亚汇网香港分站,本站所提供的内容均遵守中华人民共和国香港特别行政区法律法规。

消息称 I/O 翻倍影响 HBM4 DRAM Die 面积,初期 12Hi 堆栈超 600 美元

文 / 小亚 2025-06-10 23:01:57 来源:亚汇网

不过对于三星电子而言,由于其HBM4内存的DRAMDie工艺将从前代的1anm升级两代到1cnm,预计单晶圆DRAMDie产量仍将有所提升。但考虑到工艺复杂度的变化,三星的HBM4实际成本也将增加。业界消息预计,HBM4内存的早期规格12Hi36GB的市场售价将超过600美元(亚汇网注:现汇率约合4311元人民币),形成较同容量HBM3E的明显溢价。广告声明:文内含有的对外跳转链接(包括不限于超链接、二维码、口令等形式),用于传递更多信息,节省甄选时间,结果仅供参考,亚汇网所有文章均包含本声明。

相关新闻

加载更多...

排行榜 日排行 | 周排行