2025-10-21 23:02:26
行业人士透露：“两家公司正在为HBM4展览筹备专用展区”，“VIP参观结束后，普通观众也将有机会亲眼目睹HBM4实物”。对此，三星电子与SK海力士相关人士均回应称：“在半导体展会上展示HBM4确有其事。”此前业内普遍预测三星电子将在27日至31日于龙仁举办的2025三星技术展上首次在韩国展示HBM4，此次公开时间比预期提前约一周。HBM4采用多层DRAM芯片垂直堆叠并应用硅通孔（TSV）技术的3D封装结构，相比传统DDR技术具有更高的数据带宽和更低的功耗。此前爆料显示，三星电子通过在HBM4上采用1c纳米工艺，再次尝试差异化竞争。1c是10纳米级DRAM工艺，领先1bDRAM一代，其电路线宽更窄，性能与能效更高，与采用相对稳定的1bDRAM的SK海力士形成鲜明对比。TrendForce预测，到2025年，SK海力士将占据HBM市场59%的份额，而三星和美光将分别占据约20%的份额。亚汇网后续将保持关注。相关阅读：《《广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，亚汇网所有文章均包含本声明。
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